【美光科技CEO：HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年】财联社10月1日电，美光科技董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上表示，结构性的供需增长率差距导致了持续的供应紧张，即使考虑到行业新增的DRAM洁净室空间计划，在强劲的需求趋势（包括客户不断提出的增量要求）下，我们看不到供需何时能恢复平衡的拐点。行业HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年。Sanjay Mehrotra透露，美光2027年HBM的大部分供应已经签订协议，“价格同比大幅上涨，这缩小了（HBM）与传统DRAM之间的毛利率差距。”
源站原文 ↗美光科技董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上表示，结构性的供需增长率差距导致了持续的供应紧张，即使考虑到行业新增的DRAM洁净室空间计划，在强劲的需求趋势（包括客户不断提出的增量要求）下，我们看不到供需何时能恢复平衡的拐点。行业HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年。Sanjay Mehrotra透露，美光2027年HBM的大部分供应已经签订协议，“价格同比大幅上涨，这缩小了（HBM）与传统DRAM之间的毛利率差距。”
美光CEO明确表示DRAM/HBM供需紧张是结构性的，即便新增洁净室产能也无法在近期看到供需平衡拐点；HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM至2028年，且2027年HBM订单已大部分锁定，价格同比大幅上涨并缩小与传统DRAM的毛利差距。这释放出存储行业高景气延续、价格上涨可持续性较强的信号，对美光及存储产业链构成基本面利好。
影响:存储芯片（DRAM/HBM）及相关半导体板块股价与存储器价格方向向上。
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